| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.84 EUR |
| 10+ | 29.79 EUR |
| 100+ | 25.61 EUR |
| 450+ | 23.56 EUR |
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Technische Details SCT4036KRC15 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT4036KRC15 nach Preis ab 20.34 EUR bis 39.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SCT4036KRC15 | Rohm Semiconductor |
 Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-STInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +21V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: TO-247-4L Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA Power Dissipation (Max): 176W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
auf Bestellung 4505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4036KRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT4036KRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.69 EUR |
| 10+ | 27.68 EUR |
| 450+ | 20.34 EUR |
| SCT4036KRC15 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 39.2 EUR |
| 10+ | 33.87 EUR |
| 50+ | 31.51 EUR |