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SCT4036KW7TL

SCT4036KW7TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT4036KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
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Technische Details SCT4036KW7TL Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V, Power Dissipation (Max): 150W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V.

Weitere Produktangebote SCT4036KW7TL nach Preis ab 19.10 EUR bis 26.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCT4036KW7TL SCT4036KW7TL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4036KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
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SCT4036KW7TL SCT4036KW7TL Hersteller : ROHM datasheet?p=SCT4036KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SCT4036KW7TL SCT4036KW7TL Hersteller : ROHM datasheet?p=SCT4036KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT4036KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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SCT4036KW7TL SCT4036KW7TL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4036KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
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