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SCT4062KW7HRTL

SCT4062KW7HRTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT4062KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 1000
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Technische Details SCT4062KW7HRTL Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V, Power Dissipation (Max): 93W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SCT4062KW7HRTL nach Preis ab 13.86 EUR bis 24.90 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCT4062KW7HRTL SCT4062KW7HRTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4062KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SCT4062KW7HRTL SCT4062KW7HRTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4062KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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SCT4062KW7HRTL SCT4062KW7HRTL Hersteller : ROHM datasheet?p=SCT4062KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SCT4062KW7HRTL SCT4062KW7HRTL Hersteller : ROHM datasheet?p=SCT4062KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT4062KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1303 Stücke:
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