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SCT4062KWATL

SCT4062KWATL ROHM

4155172.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.79 EUR
15+15.9 EUR
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Technische Details SCT4062KWATL ROHM

Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 93W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT4062KWATL SCT4062KWATL ROHM 4155172.pdf Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
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SCT4062KWATL SCT4062KWATL ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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1+21.61 EUR
10+15.41 EUR
100+11.54 EUR
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SCT4062KWATL Rohm Semiconductor sct4062kwa-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
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Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
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