SCT4062KWATL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 16.39 EUR |
| 10+ | 11.95 EUR |
| 100+ | 10.08 EUR |
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Technische Details SCT4062KWATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SCT4062KWATL nach Preis ab 6.4 EUR bis 19.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SCT4062KWATL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4062KWATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4062KWATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT4062KWATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT4062KWATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4062KWATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA Supplier Device Package: TO-263-7LA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V |
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