Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > SCZ4011KTAC23
SCZ4011KTAC23

SCZ4011KTAC23 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+119.36 EUR
10+98.63 EUR
100+88.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SCZ4011KTAC23 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCZ4011KTAC23 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 106 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, DOT-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 361W, Bauform - Transistor: DOT-247, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote SCZ4011KTAC23

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SCZ4011KTAC23 SCZ4011KTAC23 Hersteller : ROHM 4639072.pdf Description: ROHM - SCZ4011KTAC23 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 106 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, DOT-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 361W
Bauform - Transistor: DOT-247
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH