SD103B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 20 V
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Technische Details SD103B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 30V DO204AH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 10 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz, Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35), Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SD103B-TR SD103B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division sd103a.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
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