SD56120M
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Technische Details SD56120M
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252, Current - Test: 400 mA, Voltage - Test: 32 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: M252, Technology: LDMOS, Gain: 16dB, Power - Output: 120W, Frequency: 860MHz, Current Rating (Amps): 14A, Package / Case: M252, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote SD56120M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SD56120M | STM |
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SD56120M | STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252 Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 32 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: M252 Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 120W Frequency: 860MHz Current Rating (Amps): 14A Package / Case: M252 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SD56120M |
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Hersteller: STM
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
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| SD56120M |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 32 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: M252
Technology: LDMOS
Gain: 16dB
Power - Output: 120W
Frequency: 860MHz
Current Rating (Amps): 14A
Package / Case: M252
Packaging: Tube
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 32 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: M252
Technology: LDMOS
Gain: 16dB
Power - Output: 120W
Frequency: 860MHz
Current Rating (Amps): 14A
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