SD56120M
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Technische Details SD56120M
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252, Packaging: Tube, Package / Case: M252, Current Rating (Amps): 14A, Frequency: 860MHz, Power - Output: 120W, Gain: 16dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: M252, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 400 mA.
Weitere Produktangebote SD56120M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SD56120M | STM |
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SD56120M | STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252 Packaging: Tube Package / Case: M252 Current Rating (Amps): 14A Frequency: 860MHz Power - Output: 120W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: M252 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 400 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SD56120M |
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Hersteller: STM
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
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| SD56120M |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Packaging: Tube
Package / Case: M252
Current Rating (Amps): 14A
Frequency: 860MHz
Power - Output: 120W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: M252
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 400 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Packaging: Tube
Package / Case: M252
Current Rating (Amps): 14A
Frequency: 860MHz
Power - Output: 120W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: M252
Voltage - Rated: 65 V
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