SDT04S60
Produktcode: 53317
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Technische Details SDT04S60
- DIODE, SCHOTTKY, SIC, 600V
- Diode Type:Schottky
- Voltage Vrrm:600V
- Av Current If:4A
- Max Voltage Vf:2V
- Max Current Ifs:12.5A
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Diode Case Style:TO-220
- No. of Pins:2
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:DO-220
- Case Style:TO-220
- Current Ifsm:12.5A
- Forward Voltage:1.7V
- Max Junction Temperature Tj:175`C
- Termination Type:Through Hole
Weitere Produktangebote SDT04S60
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SDT04S60 |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SDT04S60 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SDT04S60 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Diode 600V 4A |
Produkt ist nicht verfügbar |