SE30AFD-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SE30AFD-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-221AC, Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: SE30A, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SE30AFD-M3/6A nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SE30AFD-M3/6A | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 3 Amp 200 Volts ESD PROTECTION |
auf Bestellung 29978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SE30AFD-M3/6A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Current - Average Rectified (Io): 1.4A Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 6430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SE30AFD-M3/6A | VISHAY |
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-221AC Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SE30A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SE30AFD-M3/6A |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 3 Amp 200 Volts ESD PROTECTION
Rectifiers 3 Amp 200 Volts ESD PROTECTION
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.86 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3500+ | 0.21 EUR |
| 7000+ | 0.19 EUR |
| SE30AFD-M3/6A |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 0.86 EUR |
| 39+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| SE30AFD-M3/6A |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AC
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SE30A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AC
Durchlassstoßstrom: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SE30A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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