SE60N3DHM3/I Vishay
Hersteller: VishayDescription: 6A, 200V, STD , SM RECT,DFN33A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 6000+ | 0.34 EUR |
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Technische Details SE60N3DHM3/I Vishay
Description: VISHAY - SE60N3DHM3/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 6 A, Vierfach, gemeinsame Anode, 1.05 V, 80 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN33A, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Vierfach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.05V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SE60N3DHM3/I nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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SE60N3DHM3/I | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 6A, 200V, STD , SM RECT,DFN33A AEC-Q101 |
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SE60N3DHM3/I | Hersteller : Vishay |
Description: 6A, 200V, STD , SM RECT,DFN33A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DFN33A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
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SE60N3DHM3/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SE60N3DHM3/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 6 A, Vierfach, gemeinsame Anode, 1.05 V, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN33A Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Vierfach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SE60N3DHM3/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SE60N3DHM3/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 6 A, Vierfach, gemeinsame Anode, 1.05 V, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN33A Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Vierfach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |