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SF34G

SF34G Taiwan Semiconductor Corporation

pdf.php?pn=SF34G Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Technische Details SF34G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SF34G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: SFx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SF34G SF34G Hersteller : Taiwan Semiconductor sf31gseries_h2105.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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SF34G SF34G Hersteller : Taiwan Semiconductor sf31gseries_h2105.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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SF34G SF34G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SF34G Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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26+ 0.68 EUR
100+ 0.47 EUR
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SF34G SF34G Hersteller : Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=SF34G Rectifiers 35ns, 3A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
auf Bestellung 2490 Stücke:
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100+ 0.48 EUR
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2500+ 0.26 EUR
10000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SF34G SF34G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pdf.php?pn=SF34G Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SF34G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: SFx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SF34G Hersteller : Taiwan Semiconductor sf31gseries_h2105.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD
auf Bestellung 920 Stücke:
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SF34G SF34G Hersteller : Taiwan Semiconductor sf31gseries_h2105.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
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SF34G SF34G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY SF31G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.95V
Reverse recovery time: 35ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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SF34G SF34G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY SF31G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.95V
Reverse recovery time: 35ns
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