SFP9640
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Technische Details SFP9640
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 123W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SFP9640 | ONS/FAI |
аналог IRF9640 Транзистори |
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SFP9640 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
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 |
SFP9640 | onsemi / Fairchild |
MOSFET P-CH/200V/11A/0.5OHM |
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| SFP9640 |
|
Hersteller: ONS/FAI
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| SFP9640 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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| SFP9640 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET P-CH/200V/11A/0.5OHM
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