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SGB02N120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.6A
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
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Technische Details SGB02N120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns, Switching Energy: 220µJ, Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V, Gate Charge: 11 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A, Power - Max: 62 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SGB02N120ATMA1 Infineon SGB02N120_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42799e03c76
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