Produkte > INFINEON > SGB10N60A

SGB10N60A INFINEON


INFNS11217-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: INFINEON
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SGB10N60A INFINEON

Description: IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/178ns, Switching Energy: 320µJ, Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V, Gate Charge: 52 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 92 W.

Weitere Produktangebote SGB10N60A

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SGB10N60A
Produktcode: 44293
Hersteller : Infineon infineon-sgb10n60a-ds-v02_03-en.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO-263-3-2
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 A
Pd 25: 92 W
Produkt ist nicht verfügbar
SGB10N60A SGB10N60A Hersteller : Infineon Technologies INFNS11217-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/178ns
Switching Energy: 320µJ
Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 92 W
Produkt ist nicht verfügbar
SGB10N60A SGB10N60A Hersteller : Infineon Technologies infns11217_1-2271070.pdf IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
Produkt ist nicht verfügbar