SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 3.43 EUR |
| 5000+ | 3.01 EUR |
| 10000+ | 2.73 EUR |
| 15000+ | 2.45 EUR |
| 25000+ | 2.19 EUR |
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Technische Details SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns, Switching Energy: 220µJ, Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V, Gate Charge: 11 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A, Power - Max: 62 W.
Weitere Produktangebote SGD02N120BUMA1 nach Preis ab 2.4 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SGD02N120BUMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SGD02N120BUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 3.47 EUR |
| 5000+ | 3.12 EUR |
| 10000+ | 2.86 EUR |
| 15000+ | 2.63 EUR |
| 25000+ | 2.4 EUR |


