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SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies


sgp_d_i02n120_rev2_3g.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns, Switching Energy: 220µJ, Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V, Gate Charge: 11 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A, Power - Max: 62 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SGD02N120BUMA1 SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies sgp_d_i02n120_rev2_3g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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