SGH40N60UFDTU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 10000+ | 2.76 EUR |
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Technische Details SGH40N60UFDTU ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns, Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 97 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 160 W.
Weitere Produktangebote SGH40N60UFDTU nach Preis ab 2.76 EUR bis 4.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SGH40N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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SGH40N60UFDTU | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W |
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| SGH40N60UFDTU | Hersteller : FSC |
10+ SOT-23 |
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| SGH40N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SGH40N60UFDTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGH40N60UFDTU - IGBT, 40 A, 2.6 V, 160 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UFD Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 212473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SGH40N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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SGH40N60UFDTU | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W |
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SGH40N60UFDTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors Dis High Perf IGBT |
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