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SGL50N60RUFDTU===
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Technische Details SGL50N60RUFDTU===
Description: IGBT 600V 80A TO264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-264-3, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/66ns, Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V, Gate Charge: 145 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote SGL50N60RUFDTU===
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SGL50N60RUFDTU | onsemi |
 Description: IGBT 600V 80A TO264-3Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-264-3 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/66ns Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) Test Condition: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V Gate Charge: 145 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
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Mindestbestellmenge: 375 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
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| SGL50N60RUFDTU |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 80A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/66ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Description: IGBT 600V 80A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/66ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
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| SGL50N60RUFDTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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Mindestbestellmenge: 375 Stücke
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| SGL50N60RUFDTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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