SGSD200

SGSD200 STMicroelectronics


SGSD100%2C200.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247-3
Power - Max: 130 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Supplier Device Package: TO-247-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details SGSD200 STMicroelectronics

Description: TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247-3, Power - Max: 130 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Supplier Device Package: TO-247-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A, Transistor Type: PNP - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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SGSD200 SGSD200 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000903-1204471.pdf Darlington Transistors PNP Power Darlington
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