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SGT070R70HTO

SGT070R70HTO STMicroelectronics

en.dm01183247.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 26A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
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Technische Details SGT070R70HTO STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 8.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-LL, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SGT070R70HTO SGT070R70HTO STMicroelectronics sgt070r70hto.pdf GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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SGT070R70HTO SGT070R70HTO STMicroelectronics sgt070r70hto.pdf Description: GANFET N-CH 700V 20A TOLL HV
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SGT070R70HTO SGT070R70HTO STMICROELECTRONICS 4600675.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.19 EUR
14+16.66 EUR
18+12.58 EUR
50+11.01 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage
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