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SGT080R70ILB

SGT080R70ILB STMICROELECTRONICS

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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Technische Details SGT080R70ILB STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6.2nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SGT080R70ILB SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
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Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
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Description: GANFET N-CH 700V 29A PWRFLAT HV
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