SGT105R70ILB STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
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Technische Details SGT105R70ILB STMICROELECTRONICS
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Weitere Produktangebote SGT105R70ILB nach Preis ab 4.13 EUR bis 13.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SGT105R70ILB | STMicroelectronics | GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor |
auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SGT105R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SGT105R70ILB |
Hersteller: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.79 EUR |
| 10+ | 9.17 EUR |
| 100+ | 6.94 EUR |
| 500+ | 6.7 EUR |
| 1000+ | 4.88 EUR |
| 3000+ | 4.13 EUR |
| SGT105R70ILB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.82 EUR |
| 26+ | 9.01 EUR |
| 100+ | 6.19 EUR |