SGT105R70ILB STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
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Technische Details SGT105R70ILB STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.
Weitere Produktangebote SGT105R70ILB nach Preis ab 3.65 EUR bis 13.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SGT105R70ILB | STMicroelectronics |
Description: 700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M |
auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SGT105R70ILB | STMicroelectronics |
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor |
auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SGT105R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SGT105R70ILB | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SGT105R70ILB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: 700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
Description: 700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.89 EUR |
| 10+ | 7.27 EUR |
| 50+ | 5.71 EUR |
| 100+ | 5.21 EUR |
| 500+ | 4.74 EUR |
| SGT105R70ILB |
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Hersteller: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.79 EUR |
| 10+ | 9.17 EUR |
| 100+ | 6.94 EUR |
| 500+ | 6.7 EUR |
| 1000+ | 4.88 EUR |
| 3000+ | 4.13 EUR |
| SGT105R70ILB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 4.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 21.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.82 EUR |
| 26+ | 9.01 EUR |
| 100+ | 6.19 EUR |
| SGT105R70ILB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 3.65 EUR |