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SGT140R70ILB

SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS

4600678.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 330 Stücke:
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Technische Details SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SGT140R70ILB SGT140R70ILB STMicroelectronics sgt140r70ilb.pdf Description: 700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
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3+8.73 EUR
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SGT140R70ILB SGT140R70ILB STMicroelectronics sgt140r70ilb.pdf GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.51 EUR
100+4.9 EUR
500+4.71 EUR
1000+4 EUR
3000+3.39 EUR
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SGT140R70ILB SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS 4600678.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
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SGT140R70ILB STMicroelectronics sgt140r70ilb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 17A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
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Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Trans MOSFET N-CH GaN 700V 17A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
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