Produkte > STMICROELECTRONICS > SGT140R70ILB

SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS


4600678.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Weitere Produktangebote SGT140R70ILB nach Preis ab 3.39 EUR bis 10.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SGT140R70ILB SGT140R70ILB STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.51 EUR
100+4.9 EUR
500+4.71 EUR
1000+4 EUR
3000+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILB SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS 4600678.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.42 EUR
35+6.77 EUR
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILB
Hersteller: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.13 EUR
10+6.51 EUR
100+4.9 EUR
500+4.71 EUR
1000+4 EUR
3000+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILB 4600678.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.42 EUR
35+6.77 EUR
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH