SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Technische Details SGT140R70ILB STMICROELECTRONICS
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Weitere Produktangebote SGT140R70ILB nach Preis ab 3.39 EUR bis 10.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SGT140R70ILB | STMicroelectronics | GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor |
auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SGT140R70ILB | STMICROELECTRONICS |
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auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SGT140R70ILB |
Hersteller: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.13 EUR |
| 10+ | 6.51 EUR |
| 100+ | 4.9 EUR |
| 500+ | 4.71 EUR |
| 1000+ | 4 EUR |
| 3000+ | 3.39 EUR |
| SGT140R70ILB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.42 EUR |
| 35+ | 6.77 EUR |
| 100+ | 4.82 EUR |


