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SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS


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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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auf Bestellung 290 Stücke:
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Technische Details SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Weitere Produktangebote SGT190R70ILB nach Preis ab 2.51 EUR bis 8.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SGT190R70ILB SGT190R70ILB STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 693 Stücke:
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1+7.27 EUR
10+4.77 EUR
100+3.53 EUR
500+3.19 EUR
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SGT190R70ILB SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS 4600679.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
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31+8.29 EUR
44+5.38 EUR
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SGT190R70ILB
Hersteller: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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