SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Technische Details SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS
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Weitere Produktangebote SGT190R70ILB nach Preis ab 2.51 EUR bis 8.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SGT190R70ILB | STMicroelectronics | GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor |
auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SGT190R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 2.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SGT190R70ILB |
Hersteller: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.27 EUR |
| 10+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 2.98 EUR |
| 3000+ | 2.51 EUR |
| SGT190R70ILB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
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Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.29 EUR |
| 44+ | 5.38 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |


