SGT1D5R10MEA STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 474A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 19nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.11 EUR |
| 16+ | 15.17 EUR |
| 100+ | 11.03 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
13 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SGT1D5R10MEA STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 474A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 19nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: En-FCLGA, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Weitere Produktangebote SGT1D5R10MEA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SGT1D5R10MEA |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SGT1D5R10MEA |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SGT1D5R10MEA |
|
Hersteller: STMicroelectronics
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SGT1D5R10MEA |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH