SGT1D5R10MEA STMicroelectronics
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Technische Details SGT1D5R10MEA STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 474A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 19nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: En-FCLGA, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Weitere Produktangebote SGT1D5R10MEA nach Preis ab 7.66 EUR bis 17.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SGT1D5R10MEA | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 474A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 19nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: En-FCLGA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
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| SGT1D5R10MEA |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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