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SH8J31GZETB

SH8J31GZETB Rohm Semiconductor

sh8j31gzetb-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
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Technische Details SH8J31GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SH8J31GZETB SH8J31GZETB Hersteller : Rohm Semiconductor sh8j31gzetb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 7290 Stücke:
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SH8J31GZETB SH8J31GZETB Hersteller : Rohm Semiconductor sh8j31gzetb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8J31GZETB SH8J31GZETB Hersteller : Rohm Semiconductor sh8j31gzetb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8J31GZETB SH8J31GZETB Hersteller : ROHM Semiconductor sh8j31gzetb-e.pdf MOSFETs 60V Pch+Pch Si MOSFET
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2+2.66 EUR
10+2.04 EUR
100+1.49 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SH8J31GZETB SH8J31GZETB Hersteller : Rohm Semiconductor sh8j31gzetb-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 27423 Stücke:
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5+4.17 EUR
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500+1.47 EUR
1000+1.35 EUR
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SH8J31GZETB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR sh8j31gzetb-e.pdf SH8J31GZETB Multi channel transistors
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