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SH8JB5TB1

SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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Technische Details SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2681 Stücke:
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100+2.83 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.2 EUR
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SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor sh8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
10+3.92 EUR
100+2.7 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SH8JB5TB1 SH8JB5TB1 ROHM datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
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38+6.59 EUR
59+3.96 EUR
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SH8JB5TB1 ROHM - Japan datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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100+2.83 EUR
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SH8JB5TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+6.01 EUR
10+3.92 EUR
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1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8JB5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.59 EUR
59+3.96 EUR
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SH8JB5TB1 datasheet?p=SH8JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH