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SH8KA4TB1

SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
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Technische Details SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET2 N-CH SOP8G, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8KA4TB1 SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ka4tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
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SH8KA4TB1 SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KA4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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10+2.23 EUR
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SH8KA4TB1 SH8KA4TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KA4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
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SH8KA4TB1 SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ka4tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
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