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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.1 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 2500+ | 1.33 EUR |
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Technische Details SH8KA7GZETB ROHM Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 4.6W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 81nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SH8KA7GZETB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SH8KA7GZETB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SH8KA7GZETB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SH8KA7GZETB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND |
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SH8KA7GZETB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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