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SH8KB5TB1

SH8KB5TB1 ROHM Semiconductor

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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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Technische Details SH8KB5TB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SH8KB5TB1 nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8KB5TB1 SH8KB5TB1 Rohm Semiconductor sh8kb5tb1-e.pdf Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
50+1.34 EUR
100+1.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SH8KB5TB1 SH8KB5TB1 ROHM sh8kb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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76+3.32 EUR
119+1.96 EUR
179+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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SH8KB5TB1 SH8KB5TB1 ROHM sh8kb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
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isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
119+1.96 EUR
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1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SH8KB5TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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SH8KB5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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119+1.96 EUR
179+1.2 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2494 Stücke:
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100+3.32 EUR
119+1.96 EUR
179+1.2 EUR
500+0.94 EUR
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