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SH8KE5TB1

SH8KE5TB1 ROHM Semiconductor

sh8ke5tb1-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
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Technische Details SH8KE5TB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SH8KE5TB1 nach Preis ab 0.94 EUR bis 2.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8KE5TB1 SH8KE5TB1 Rohm Semiconductor sh8ke5tb1-e.pdf Description: 100V 2.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, P
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SH8KE5TB1 SH8KE5TB1 ROHM sh8ke5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
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Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: 100V 2.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, P
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SH8KE5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
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