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SH8KE6TB1

SH8KE6TB1 ROHM

sh8ke6tb1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details SH8KE6TB1 ROHM

Description: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8KE6TB1 SH8KE6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KE6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+3.24 EUR
100+2.61 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SH8KE6TB1 SH8KE6TB1 ROHM sh8ke6tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
69+3.42 EUR
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SH8KE6TB1 datasheet?p=SH8KE6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KE6TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SH8KE6TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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44+5.72 EUR
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