SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SH8MC4TB1 nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SH8MC4TB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET |
auf Bestellung 2467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH8MC4TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH8MC4TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SH8MC4TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |