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SH8MC4TB1

SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor

sh8mc4tb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor sh8mc4tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin SOP T/R
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SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 Rohm Semiconductor sh8mc4tb1-e.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 ROHM 4197369.pdf Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 ROHM Semiconductor sh8mc4tb1-e.pdf MOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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2+3.03 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SH8MC4TB1 SH8MC4TB1 ROHM 4197369.pdf Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin SOP T/R
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SH8MC4TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SH8MC4TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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MOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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SH8MC4TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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