SH8MC5TB1 ROHM Semiconductor
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| 1000+ | 1.28 EUR |
| 2500+ | 1.25 EUR |
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Technische Details SH8MC5TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SH8MC5TB1 nach Preis ab 1.45 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SH8MC5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
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SH8MC5TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SH8MC5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
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