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Technische Details SI1032R-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI1032R-T1-GE3 nach Preis ab 0.20 EUR bis 0.83 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V |
auf Bestellung 128153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 21689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI1032R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R |
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