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SI1401EDH-T1-GE3

SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1401edh.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 2.8W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.

Weitere Produktangebote SI1401EDH-T1-GE3 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1401edh.pdf MOSFETs -12V Vds 10V Vgs SC70-6
auf Bestellung 9860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1 EUR
10+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
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SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1401edh.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
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15+1.4 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
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SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 21865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
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Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
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