Produkte > VISHAY SILICONIX > SI1403BDL-T1-BE3
SI1403BDL-T1-BE3

SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1403bdl.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SI1403BDL-T1-BE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Vishay si1403bdl.pdf MOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
auf Bestellung 29645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.02 EUR
10+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 VISHAY 3204794.pdf Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
auf Bestellung 29645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.02 EUR
10+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.21 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-BE3 3204794.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH