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SI1403BDL-T1-BE3

SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1403bdl.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SI1403BDL-T1-BE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Hersteller : Vishay si1403bdl.pdf MOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
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SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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15+1.21 EUR
24+0.76 EUR
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1000+0.34 EUR
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SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Hersteller : VISHAY 3204794.pdf Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI1403BDL-T1-BE3 Hersteller : Vishay si1403bdl.pdf P-Channel MOSFET
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