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Technische Details SI1553CDL-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-BE3 - MOSFET, N & P-CH, 20V, 0.7A, SC-70, tariffCode: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N and P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1553CDL-T1-BE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1553CDL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
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SI1553CDL-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-BE3 - MOSFET, N & P-CH, 20V, 0.7A, SC-70 tariffCode: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N and P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI1553CDL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1553CDL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
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