SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SI1553CDL-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 340mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR |
auf Bestellung 29787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1553CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 1.02 EUR |
| 28+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.34 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
auf Bestellung 29787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 4779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH