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SI1553CDL-T1-GE3

SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1553cdl.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY si1553cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 0.7/-0.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.7/-0.5A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.35/1.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3/1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+0.92 EUR
130+0.65 EUR
190+0.45 EUR
224+0.38 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5048 Stücke:
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18+1.21 EUR
28+0.76 EUR
100+0.4 EUR
500+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1553cdl.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
auf Bestellung 24773 Stücke:
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3+1.29 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011679627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 4779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI1553CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 0.7/-0.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.7/-0.5A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.35/1.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3/1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+0.92 EUR
130+0.65 EUR
190+0.45 EUR
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SI1553CDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+1.21 EUR
28+0.76 EUR
100+0.4 EUR
500+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SI1553CDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
auf Bestellung 24773 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.29 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI1553CDL-T1-GE3 VISH-S-A0011679627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1553CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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