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SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix

SI1965DH.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
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Technische Details SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3 Vishay / Siliconix SI1965DH.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6
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