SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3

Produktcode: 28285
Hersteller:
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details SI2301BDS-T1-E3

Preis SI2301BDS-T1-E3 ab 0.23 EUR bis 0.23 EUR

SI2301BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 950
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI2301BDS-T1-E3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 950
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI2301BDST1E3
Hersteller:

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SI2301BDST1E3
Hersteller: VISHAY
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SI2301BDST1E3
Hersteller: VISHAY

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SI2301BDS-T1-E3
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SI2301BDS MOSFET, P, SOT-23
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2301CDS-T1-GE3
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SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
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SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 6V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
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