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SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2304bds.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details SI2304BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.08W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm, directShipCharge: 25.

Weitere Produktangebote SI2304BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2304BDS-T1-E3 SI2304BDS-T1-E3 Vishay si2304bds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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SI2304BDS-T1-E3 SI2304BDS-T1-E3 Vishay si2304bds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.46 EUR
194+0.87 EUR
285+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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SI2304BDS-T1-E3 SI2304BDS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel
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Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.08W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 12328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
192+1.21 EUR
210+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SI2304BDS-T1-E3 SI2304BDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2304bds.pdf MOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm
auf Bestellung 55743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.32 EUR
100+0.84 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2304BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel
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Transistormontage: Surface Mount
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 12328 Stücke:
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192+1.21 EUR
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Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
auf Bestellung 3490 Stücke:
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500+0.63 EUR
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