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SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3 Vishay

si2307bd.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2307BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

Weitere Produktangebote SI2307BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.51 EUR
343+0.5 EUR
346+0.49 EUR
372+0.44 EUR
386+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.52 EUR
6000+0.48 EUR
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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308+0.56 EUR
339+0.5 EUR
343+0.48 EUR
346+0.45 EUR
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386+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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224+0.77 EUR
260+0.67 EUR
500+0.63 EUR
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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114+1.52 EUR
186+0.93 EUR
259+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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114+1.52 EUR
186+0.9 EUR
259+0.62 EUR
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3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2307bd.pdf MOSFETs 30V 3.2A 1.25W
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2+2.18 EUR
10+1.11 EUR
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3000+0.5 EUR
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY si2307bd.pdf Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
189+1.24 EUR
273+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY si2307bd.pdf Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
189+1.24 EUR
273+0.79 EUR
500+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2307BDST1E3 VISHAY
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SI2307BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
339+0.51 EUR
343+0.5 EUR
346+0.49 EUR
372+0.44 EUR
386+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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SI2307BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.52 EUR
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SI2307BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
308+0.56 EUR
339+0.5 EUR
343+0.48 EUR
346+0.45 EUR
372+0.4 EUR
386+0.37 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
224+0.77 EUR
260+0.67 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+1.52 EUR
186+0.93 EUR
259+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4611 Stücke:
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114+1.52 EUR
186+0.9 EUR
259+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2307BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 3.2A 1.25W
auf Bestellung 56244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.18 EUR
10+1.11 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI2307BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+2.57 EUR
189+1.24 EUR
273+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
189+1.24 EUR
273+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDST1E3
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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