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SI2307BDS-T1-E3 Vishay


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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2307BDS-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
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Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
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Description: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 264 Stücke:
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152+1.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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