SI2318CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 1 EUR |
| 34+ | 0.62 EUR |
| 50+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
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Technische Details SI2318CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote SI2318CDS-T1-BE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI2318CDS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.3A |
auf Bestellung 47531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI2318CDS-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.3A
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| 3+ | 1.13 EUR |
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| 500+ | 0.32 EUR |
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