SI2333-TP


SI2333(SOT-23).pdf
Produktcode: 195120
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2333-TP SI2333-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.46 EUR
254+0.33 EUR
418+0.2 EUR
511+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333-TP MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
auf Bestellung 21290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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SI2333-TP SI2333-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1.01 EUR
404+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2333(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+1.01 EUR
404+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP Micro Commercial Components Corp. SI2333(SOT-23).pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C; SI2333-TP TSI2333
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333(SOT-23).pdf
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
185+0.46 EUR
254+0.33 EUR
418+0.2 EUR
511+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333(SOT-23).pdf
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
auf Bestellung 21290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333(SOT-23).pdf
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+1.01 EUR
404+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333(SOT-23).pdf
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+1.01 EUR
404+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333-TP SI2333(SOT-23).pdf
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C; SI2333-TP TSI2333
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH