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SI2333-TP

SI2333-TP Micro Commercial Components

si2333sot-23.pdf Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2333-TP Micro Commercial Components

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2333-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI2333-TP SI2333-TP Hersteller : Micro Commercial Components si2333sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2333-TP SI2333-TP Hersteller : Micro Commercial Components si2333sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2333-TP SI2333-TP Hersteller : MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
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3000+0.14 EUR
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SI2333-TP SI2333-TP Hersteller : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D90AB91473E0D3&compId=SI2333.pdf?ci_sign=c700634c1789a82236b9312ce37a3695cf0b5664 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
193+0.37 EUR
313+0.23 EUR
518+0.14 EUR
1029+0.07 EUR
1090+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
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Kind of channel: enhancement
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SI2333-TP SI2333-TP Hersteller : Micro Commercial Components (MCC) SI2333_SOT_23_-3424209.pdf MOSFETs P-Channel MOSFET
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SI2333-TP SI2333-TP Hersteller : MCC (Micro Commercial Components) SI2333(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 1.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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usEccn: EAR99
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SI2333-TP Hersteller : Micro Commercial Components Corp. SI2333(SOT-23).pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C; SI2333-TP TSI2333
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Produktcode: 195120
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