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SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3 Vishay

si2365eds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2365EDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
275+0.26 EUR
363+0.20 EUR
435+0.16 EUR
642+0.11 EUR
2500+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2365eds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
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1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2365eds.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2148573.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Produktcode: 166536
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