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SI2365EDS-T1-GE3

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Produktcode: 166536
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+0.085 EUR
6000+0.082 EUR
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2875 Stücke:
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1000+0.18 EUR
2500+0.16 EUR
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2365eds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 85815 Stücke:
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1000+0.15 EUR
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
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29+0.62 EUR
47+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2365eds.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20405 Stücke:
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2148573.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2365eds.pdf MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
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FDS4935A
Produktcode: 40550
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fds4935a-datasheet.pdf
FDS4935A
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 7
Rds(on),Om: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 153 St.
12 St. - stock Köln
141 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.49 EUR
10+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Taste SWT-2/9,5 (KLS7-TS6601-H=9,5)
Produktcode: 36772
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SWT-2xx.JPG
Taste SWT-2/9,5 (KLS7-TS6601-H=9,5)
Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Gruppe: Taste
Ausgabe/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6х6mm
Stammhöhe, mm: 9,5mm
Beschreibung: Taste Takt Ausgabe 6х6mm
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
auf Bestellung 1756 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
4000 St. - erwartet 15.08.2026
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.067 EUR
1000+0.062 EUR
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Kontakte für Micro-Fit, Buchse (MX-43030-0001)
Produktcode: 31293
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Kontakte für Micro-Fit, Buchse (MX-43030-0001)
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Mini-Fit und Micro-Fit
Beschreibung: Micro-Fit; контакт; "мама"; 3мм; 24AWG; на провід; обтиск
Anschlusstyp: Micro-Fit
Montage: кабель
Jack: контакти
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 12000 St.
12000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
100+0.034 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (EZV470M35RC)
Produktcode: 23420
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EZV_070829.pdf
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (EZV470M35RC)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EZV-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 5000 St.
5000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.1 EUR
100+0.066 EUR
1000+0.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3689
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 54085 St.
185 St. - stock Köln
53900 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH