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SI2365EDS-T1-GE3

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Produktcode: 166536
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
9000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY 2148573.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.49 EUR
681+0.35 EUR
1000+0.21 EUR
1099+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2365eds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 85815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
11+0.31 EUR
100+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.88 EUR
637+0.37 EUR
782+0.27 EUR
870+0.25 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
9000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 2148573.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
770+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
516+0.49 EUR
681+0.35 EUR
1000+0.21 EUR
1099+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 85815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.65 EUR
11+0.31 EUR
100+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
285+0.88 EUR
637+0.37 EUR
782+0.27 EUR
870+0.25 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
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