SI2369BDS-T1-BE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 173+ | 1.45 EUR |
| 226+ | 1.02 EUR |
| 342+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details SI2369BDS-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Weitere Produktangebote SI2369BDS-T1-BE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI2369BDS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 5347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2369BDS-T1-BE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 6270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI2369BDS-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 5347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 173+ | 1.45 EUR |
| 226+ | 1.02 EUR |
| 342+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
| SI2369BDS-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.69 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |