SI2371EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details SI2371EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote SI2371EDS-T1-BE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI2371EDS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.7A |
auf Bestellung 104089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2371EDS-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V |
auf Bestellung 12036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2371EDS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0585 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.7W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2371EDS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2371EDS-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.7A
MOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.7A
auf Bestellung 104089 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| SI2371EDS-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.92 EUR |
| 37+ | 0.57 EUR |
| 51+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| SI2371EDS-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0585
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0585
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: TO-236
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Produktpalette: TrenchFET Series
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 1.17 EUR |
| 481+ | 0.49 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 2500+ | 0.23 EUR |
| SI2371EDS-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 198+ | 1.26 EUR |
| 439+ | 0.52 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| 672+ | 0.32 EUR |