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SI2392DS-T1-GE3 VISHAY


Si2392DS.pdf Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details SI2392DS-T1-GE3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A, Case: SOT23, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.1A, On-state resistance: 189mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 10.4nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 8A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Si2392DS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
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SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Si2392DS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
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SI2392DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Si2392DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
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