SI2399BDS-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 184+ | 1.36 EUR |
| 260+ | 0.89 EUR |
| 441+ | 0.49 EUR |
| 646+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 5000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details SI2399BDS-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Weitere Produktangebote SI2399BDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI2399BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 5410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2399BDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI2399BDS-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Description: VISHAY - SI2399BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 5410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 184+ | 1.36 EUR |
| 260+ | 0.89 EUR |
| 441+ | 0.49 EUR |
| 646+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 5000+ | 0.24 EUR |
| SI2399BDS-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.76 EUR |
| 10+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.15 EUR |