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Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3424bd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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22+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
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Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix si3424bd.pdf MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
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10+0.99 EUR
100+0.69 EUR
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3000+0.37 EUR
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Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
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10+0.99 EUR
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500+0.54 EUR
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